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高压MOSFET系BYD微电子公司研发与生产,根据市场需求,现主要生产500V(5A,9A),600V(1A,2A,4A,6A,8A,10A,12A)系列产品,主要封装形式有TO-220/TO-220F/TO-251/TO-92...
一只性能良好的电容器在接通电源的瞬间，万用表的表针应有较大摆幅;电容器的容量越大，其表针的摆幅也越大，摆动后，表针能逐渐返回零位。如果电容器在电源接通...
能够迅速由导通状态过渡到关断状态的PN结整流二极管，称为快恢复二极管，这种二极管的特点是反向恢复时间短，典型的200v/30 A快恢复二极管，其trr
1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度，允许误差与精度等级对...
IGBT模块的术语及其特性术语说明：集电极、发射极间处于交流短路状态，在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时，栅极、发射极间的电容......
在IGBT的应用中，关键是过流保护。IGBT能承受的过流时间仅为几微秒，这与scr、gtr(几十微秒)等器件相比要小得多，因而对过流保护的要求就更高了。igbt的过电流保...
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