高压MOSFET系BYD微电子公司研发与生产,根据市场需求,现主要生产500V(5A,9A),600V(1A,2A,4A,6A,8A,10A,12A)系列产品,主要封装形式有TO-220/TO-220F/TO-251/TO-92等插件式封装,也有TO-252等D-PAK封装.高压 MOS用途极为广泛，主要应用在各类充电器，适配器，PC电源，LED电源，LCD-TV电源，UPS，高压MOS选择技巧电子镇流器等等，该产品自2009年10月市场推广以来,短短半年内已凭借稳定的品质, 优质的服务，良好的价格在国内外同行业激烈竞争中高压MOS说明占有一席之地，并在客户端取得不错的口碑。

       高电压MOSFET部件采用两种基本制程技术：一种是比较传统的平面制程，如飞兆半导体的QFET UniFET。另一种是较新的电荷平衡技术。平面制程非常稳定和耐用，但是高压MOS选择技巧对于确定的活动区(active area)与崩溃电压，其导通阻抗RDS(on)远远高于电荷平衡技术(如飞兆半导体的SuperFET以及SupreMOS MOSFET)的RDS(on)。对于高压MOS说明特定的RDS(on)，高压MOS选择技巧活动区大小的显著差异会通过输出电容与闸极电荷影响到MOSFET组件的热阻与开关速度等其它特性。图1所示为这三种制程技术的部份区别。

　　在特定崩溃电压与尺寸条件下，若传统MOSFET的RDS(on)为1Ω，全新的高压MOS说明电荷平衡型部件(如飞兆半导体的SupreMOS MOSFET)的RDS(on)只有不到0.25Ω。如果仅仅关注RDS(on)，可能会误认为，可以在现有应用中采用传统部件四份之一大小的MOSFET部件。这种想法是错误的，因为当裸晶(die)尺寸高压MOS选择技巧本身更小时，它的热阻就会更高。因此，当你认识到MOSFET绝不仅仅是一个由RDS(on)表征的活动区，上述含义得到进一步验证。

       它还存在高压MOS说明被称之为“边缘终端 (edge terminations)”的边缘环区，旨在防止部件出现裸晶边缘的电压崩溃，而让部件在活动区崩溃。对于更小的MOSFET，特别是对于高电压部件，该边缘区可以大于活动区，如图2所示。虽然边缘区对MOSFET的RDS(on) 没有什么贡献，但它有利于接面到管壳的热阻RэJC。因此，当RDS较高时，具有非常小的活动区并不能显著降低MOSFET的整体成本。

       热阻的重要性表现在多个方面，包括组件的额定电流，如下表所示。表中列出的三种不同600V部件的额定电流均为7A，但彼此的RDS(on)值与RэJC值相差极大。由于MOSFET的额定电流完全由传导损耗公式决定，因此热阻降低的影响十分明显。

       因此，选择正确的部件实际上取决于你打算如何使用这些部件，打算采用什么开关频率，什么拓扑结构和应用中的导热路径，当然，还要考虑你准备接受的成本。

　　一些通用的指引是，在没有寄生二极管恢复损耗的功率因子校正(PFC)和返驰式应用中，如果满足效率要求所需的RDS(on)大于1Ω，先进的平面制程是更好的解决方案，例如UniFET (II)、QFET 或 CFET。这主要是因为较低的RэJC有助于MOSFET部件保持较低温度。对于这种较大RDS(on)的需求，由于边缘终端的缘故，电荷反射型部件的活动区只占整个裸晶面积的较小比例。参见图1和图2。对于这些应用，平面MOSFET，即使硅片尺寸稍大，也是成本较低的制程，此外两者封装成本也差不多。